全球芯片2021 年嚴重短缺，各國政府重新了解到半導體供應(yīng)鏈的重要性，不只成為政經(jīng)角力的籌碼，更晉升為「國安問題」。美、日、歐盟紛紛祭出優(yōu)惠措施，吸引各大半導體廠商進駐，臺積電動向與全球布局，成為各國關(guān)注的焦點之一。

綜觀臺積電近期布局，除在島內(nèi)建新晶圓廠、封測廠外，也開始積極在海外擴產(chǎn)。

臺積電目前擁有四座12 吋超大晶圓廠（GIGAFAB Facilities）、四座8 吋晶圓廠和一座6 吋晶圓廠，子公司中國南京廠12 吋晶圓廠、上海松江廠8 吋晶圓廠，以及美國華盛頓州WaferTech 8 吋晶圓廠，另跟飛利浦電子合資成立SSMC 晶圓廠，在新加坡發(fā)展。

最新海外布局部分，因應(yīng)芯片短缺沖擊，臺積電去年斥資28.87 億美元，將中國南京廠28 納米擴產(chǎn)，從原本每月4 萬片產(chǎn)能上修至10 萬片，新產(chǎn)能預(yù)計今年下半年逐步開出；另外再斥資120 億美元，在美國亞利桑那州建設(shè)5 納米制程的晶圓廠，預(yù)計2024 年量產(chǎn)、月產(chǎn)能2 萬片。

受到日本政府力邀，臺積電去年在日本茨城縣筑波市，興建「臺積電日本3D IC 研究開發(fā)中心」，興建研究用生產(chǎn)線，將與信越化學工業(yè)、住友化學等20 多間日企共同研發(fā)最先進半導體技術(shù)，今年正式投入研發(fā)。

同時，臺積電還與SONY 半導體解決方案公司（SSS）在日本熊本縣建設(shè)12 吋JASM 晶圓廠，預(yù)計2024 年底前開始投產(chǎn)，為了滿足市場需求，除先前宣布的22/28 納米制程，另額外追加12/16 納米制程，月產(chǎn)能從4.5 萬片提升至5.5 萬片，預(yù)期資本支出從8,000 億日圓拉高至9,800 億日圓。


在島內(nèi)布局部分，臺積電宣布將在高雄楠梓中油煉油廠舊址建造新晶圓廠，生產(chǎn)7 納米及28 納米制程，預(yù)計2022 年開始動工，2024 年量產(chǎn)。不過目前環(huán)評初審卡關(guān)，預(yù)計4 月7 日召開第二次審查會。

此外，臺積電將在中科斥資8,000 億到一兆元擴廠，傳是籌設(shè)2 納米晶圓廠。科技部宣布，臺中園區(qū)擴建二期擴建計畫已經(jīng)獲得行政院核定，最快預(yù)計2023 年可提供廠商建廠，預(yù)計可創(chuàng)年產(chǎn)值約4,857 億元，

目前臺積電主要先進封測位于桃園龍?zhí)?，為配? 納米訂單持續(xù)擴增，積極在桃園竹南及南部興建先進封測據(jù)點，而竹南先進封測廠今年將開始接單、挹注動能，預(yù)計支援臺積電5 納米擴產(chǎn)及未來3 納米量產(chǎn)。

封測廠擴產(chǎn)部分，除了已經(jīng)確定的苗栗竹南，市場傳出可能在嘉義、云林擇一建置新廠，目前嘉義出現(xiàn)機率高，另有消息稱不排除在高雄建立封測據(jù)點。


臺積電宣布，今年資本支出將達400 億至440 億美元，相較于過去2021 年300 億美元，大幅增加33-46%，其中70% 至80% 用于2 納米、3 納米、5 納米和7 納米的先進制程；約10% 用于先進封裝及光罩制作；約10% 至20% 用于特殊制程。

據(jù)統(tǒng)計，臺積電在晶圓代工市占率高達53.1%，光先進制程芯片市占率就超過90%，因此一舉一動都成為矚目焦點。

日本、歐盟祭出一系列激勵政策，歡迎臺積電等外國廠商進駐，同時扶植本地半導體企業(yè)，美、中兩國更是視為科技戰(zhàn)的角力，紛紛推動半導體制造本土化，希望在人工智慧、5G 等新科技應(yīng)用時，在這關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)中掌握主導地位。
全球競爭火熱

與此同時，全球各地的半導體競爭火熱。

美國國會眾議院通過《2022 年美國競爭法》（America COMPETES Act of 2022），將提撥3,500 億美元，強化美國在制造、研發(fā)等多項領(lǐng)域，其中包括挹注520 億美元鼓勵美國私營部門投資半導體生產(chǎn)，以及汽車、電腦等關(guān)鍵組件的研發(fā)；未來6 年投入450 億美元，讓美國供應(yīng)鏈維持彈性，并確保關(guān)鍵產(chǎn)品在美國本土生產(chǎn)；另外撥款1,600 億美元，投入科技研發(fā)和創(chuàng)新等。

在眾議院通過該法案前，美國參議院去年通過規(guī)模2,500 億美元的《美國創(chuàng)新與競爭法》（US Innovation and Competition Act，USICA），授權(quán)5 年內(nèi)投入1,900 億美元資助科學研究發(fā)展，并提撥520 億美元加速美國半導體生產(chǎn)與研究，抗衡中國日益崛起的科技力量。


由于參議院、眾議院先后通過的版本有些差異，雙方需獲得共識、整合成新版本，并獲得國會支持，才能送交白宮由總統(tǒng)拜登簽字立法。

日本政府公布「半導體產(chǎn)業(yè)緊急強化方案」，分成短、中、長期三階段推動，首輪措施將確保日本國內(nèi)先進半導體產(chǎn)能，吸引海外廠商赴日設(shè)廠，更新日本現(xiàn)有老舊半導體廠設(shè)備，并以補助金形式分成數(shù)年提供援助，但條件是業(yè)者至少在日本持續(xù)生產(chǎn)10 年。

同時為了提振經(jīng)濟，日本國會批準史上最高額的2021年度追加預(yù)算案，將近36 兆日圓，其中6,170 億日圓（約新臺幣1,536 億元）做為新設(shè)基金，用來補助半導體產(chǎn)業(yè)，當中4,000 億日圓補助臺積電熊本廠，剩下2,000 日圓補助美光、鎧俠（Kioxia）等其他供應(yīng)商設(shè)廠。

第二、三階段（中長期）將與美國進行次世代半導體技術(shù)的研發(fā)，建構(gòu)可和全球企業(yè)等進行產(chǎn)學合作的國際性合作體制。

為了扭轉(zhuǎn)美國、東亞國家等競爭對手在先進技術(shù)上不斷擴大的差距，歐盟推出《歐洲芯片法案》，預(yù)計2030 年前投入超過430 億歐元公共和私人投資，另提撥110 億歐元的公共資金加強半導體研究、設(shè)計和生產(chǎn)，目標讓歐洲芯片2030 年市占率從現(xiàn)階段10% 翻倍至20%。

在中美科技戰(zhàn)、美國制裁等多重壓力下，中國大陸政府更是傾全國之力，利用補貼及低利貸款，扶植國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)自主化。中國大陸目標將半導體自給率從不到10%、2020 年的40% 到2025 年的70%。

另外，北京當局還補貼芯片設(shè)備制造商，以免因機械短缺對國內(nèi)生產(chǎn)目標造成挑戰(zhàn)，可看出中國的雄心。

雖然南韓三星、SK 海力士打造出記憶體王國，但除了記憶體產(chǎn)業(yè)外，其他芯片領(lǐng)域缺少從IC 設(shè)計、材料到生產(chǎn)的生態(tài)系供應(yīng)鏈，使南韓半導體產(chǎn)業(yè)在競爭、毛利成長上沒有中國臺灣和中國突出，且三星在晶圓代工上又追臺積電追得相當辛苦。

對此，南韓政府公布「K 半導體策略」，未來10 年預(yù)計投資510 兆韓圜，對象為三星電子、SK 海力士等153 家企業(yè)，提供資金、政策、稅收優(yōu)惠等支援，期望建立起半導體生產(chǎn)、原物料、零組件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計等的產(chǎn)業(yè)聚落，目標在2030 年前構(gòu)建全球最大的半導體制造基地，引領(lǐng)全球半導體供應(yīng)鏈。

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