午間，時(shí)代電氣發(fā)布公告宣布控股子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進(jìn)行SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，建設(shè)工期為兩年。

項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力將提升至滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，而現(xiàn)有4英寸SiC芯片產(chǎn)線也將提升至6英寸產(chǎn)線，現(xiàn)有4英寸芯片產(chǎn)線年10000片/年的能力將提升至6英寸SiC芯片產(chǎn)線25000片/年。

Source：中車時(shí)代

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，現(xiàn)階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國(guó)際IDM大廠8英寸進(jìn)展超乎預(yù)期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉(zhuǎn)8英寸需要一定的時(shí)間周期，因此，至少未來(lái)5年內(nèi)6英寸SiC襯底都仍為主流。

從市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力的角度來(lái)看，新能源汽車領(lǐng)域是SiC市場(chǎng)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能。Trendforce集邦咨詢報(bào)告《第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場(chǎng)報(bào)告》預(yù)估，隨著電動(dòng)車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進(jìn)，預(yù)估2025年全球電動(dòng)車市場(chǎng)對(duì)6英寸SiC晶圓需求可達(dá)169萬(wàn)片。

由此可見(jiàn)，中車時(shí)代半導(dǎo)體本次的舉動(dòng)符合行業(yè)當(dāng)前的發(fā)展趨勢(shì)，也可以視作對(duì)全球“缺芯”潮的一個(gè)應(yīng)對(duì)措施，未來(lái)可望進(jìn)一步滿足新能源汽車領(lǐng)域?qū)?英寸SiC芯片的需求。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，中車時(shí)代半導(dǎo)體依托在IGBT功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的技術(shù)儲(chǔ)備和豐富積累，已在SiC領(lǐng)域打造出自主設(shè)計(jì)與制造能力的汽車SiC功率模塊應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)。

2021年，時(shí)代電氣推出國(guó)內(nèi)自主SiC大功率電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s，其中所用的SiC器件就來(lái)自于中車時(shí)代半導(dǎo)體，并在技術(shù)上取得重要突破。據(jù)悉，基于SiC技術(shù)的C-Power 220s攻克了SiC驅(qū)動(dòng)、電磁兼容、軸承電腐蝕、高壓絕緣等關(guān)鍵技術(shù)。

當(dāng)時(shí)，時(shí)代電氣還坦言，國(guó)際汽車巨頭大眾、奔馳、現(xiàn)代、通用等主流車企均宣布了800V高電壓平臺(tái)計(jì)劃，國(guó)內(nèi)的嵐圖、吉利極氪、小鵬、廣汽埃安、比亞迪e平臺(tái)、理想等車企也已加快布局800V快充技術(shù)，而SiC技術(shù)是解決新能源汽車800V高壓快充的關(guān)鍵技術(shù)。未來(lái)，中車時(shí)代半導(dǎo)體的SiC技術(shù)將助力新能源汽車快充技術(shù)的升級(jí)。

值得注意的是，SiC的應(yīng)用觸角正在不斷向除新能源汽車領(lǐng)域之外的應(yīng)用領(lǐng)域延伸，而中車時(shí)代半導(dǎo)體的布局藍(lán)圖也不止新能源汽車領(lǐng)域，其SiC也已在地鐵、光伏等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)示范應(yīng)用。

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