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合肥真萍電子科技有限公司 

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氨氣反轉(zhuǎn)爐

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應用介紹:
主要應用于化合物半導體,金屬電極,互聯(lián)線是用金屬剝離工藝,使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌,正常采用負膠工藝實現(xiàn),因負膠有一定工藝難度和局部缺陷,例如分辨率不高,線寬均一性不好,倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝,使用酚醛樹脂基的正膠,正膠曝光后會產(chǎn)生羧酸,氨氣中和酸,再進行一次全面曝光,顯影后就可以形成倒梯形形貌,同時又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
產(chǎn)品詳情

技術(shù)參數(shù): 

型號

NH3D4

內(nèi)膽尺寸

450*450*450mm;                                       

真空度

150Pa;采用真空泵;

加熱方式

腔體外側(cè)四周加熱;

 溫度

RT+10℃~ 200℃;微電腦溫度控制器,控溫精確可靠;

控溫精度

±2%℃(150℃內(nèi));

氨氣反轉(zhuǎn)工藝

升溫達到設(shè)定值-抽真空-達到設(shè)定值-充氨氣-取產(chǎn)品-取后曝光機反面曝光。

主要特點

箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)高真空度。工作室采用不銹鋼板制成,電解拋光,確保產(chǎn)品經(jīng)久耐用。


氨氣反轉(zhuǎn)爐
氨氣反轉(zhuǎn)爐

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應用介紹:
主要應用于化合物半導體,金屬電極,互聯(lián)線是用金屬剝離工藝,使光刻膠呈現(xiàn)倒梯形形貌,正常采用負膠工藝實現(xiàn),因負膠有一定工藝難度和局部缺陷,例如分辨率不高,線寬均一性不好,倒梯形角度不穩(wěn)定等因素。行業(yè)內(nèi)大多采用氨氣條件反轉(zhuǎn)工藝,使用酚醛樹脂基的正膠,正膠曝光后會產(chǎn)生羧酸,氨氣中和酸,再進行一次全面曝光,顯影后就可以形成倒梯形形貌,同時又保留正膠的分辨率和線寬穩(wěn)定性。
產(chǎn)品詳情

技術(shù)參數(shù): 

型號

NH3D4

內(nèi)膽尺寸

450*450*450mm;                                       

真空度

150Pa;采用真空泵;

加熱方式

腔體外側(cè)四周加熱;

 溫度

RT+10℃~ 200℃;微電腦溫度控制器,控溫精確可靠;

控溫精度

±2%℃(150℃內(nèi));

氨氣反轉(zhuǎn)工藝

升溫達到設(shè)定值-抽真空-達到設(shè)定值-充氨氣-取產(chǎn)品-取后曝光機反面曝光。

主要特點

箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內(nèi)高真空度。工作室采用不銹鋼板制成,電解拋光,確保產(chǎn)品經(jīng)久耐用。


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